簡述電壓跌落發(fā)生器的實現(xiàn)方法

　　電壓跌落發(fā)生器主要針對由直流配電系統(tǒng)供電的電氣和電子設(shè)備在運行時，受到供電電源電壓暫降短時中斷或電壓變化的抗擾度所帶來的影響建立一個共同準(zhǔn)則，模擬低壓電網(wǎng)由于事故或大負(fù)載突然變化而引起的電網(wǎng)電壓跌落和短時中斷，或由于負(fù)載持續(xù)變化而引起的電網(wǎng)電壓變化。

　　下面小編要與大家分享的是電壓跌落發(fā)生器的實現(xiàn)方法：

　　1、利用繼電器、接觸器或晶閘管將電阻/電抗器串聯(lián)或并聯(lián)到主電路中實現(xiàn)電壓跌落。這種方案結(jié)構(gòu)簡單，實現(xiàn)方便，但由于受電阻功率的限制，往往要求較大阻值的電阻，這使得電壓跌落較深，且損耗較大。如果串/并聯(lián)的阻抗是固定的，導(dǎo)致電壓跌落深度不可調(diào)，由于負(fù)載的變化即使采用了可變電阻也會引起阻抗匹配關(guān)系改變，使得跌落深度難以有效控制。阻抗的存在使負(fù)載側(cè)的設(shè)備無法向電網(wǎng)饋送能量，因此無法用此設(shè)備進行無功補償。受開關(guān)器件的限制，電阻形式的VSG無法實現(xiàn)三相電壓的同時跌落。這些缺點影響了阻抗型VSG的使用。

　　2、采用交-交變頻器或交-直-交變頻器，利用大功率可控器件實現(xiàn)電壓跌落，以控制電壓跌落的持續(xù)時間、跌落深度、起止相位和跌落類型。使用功率二極管、IGBT作為開關(guān)器件時，受器件功率的限制功率等級不能過大。選用GTO、IGCT等器件雖然可以提高功率等級，但設(shè)備成本很高且控制復(fù)雜，可靠性不佳，且由于器件自身抵抗電網(wǎng)故障的電壓、電流沖擊能力有限，因此，該方案一般局限于實驗室和小功率范圍內(nèi)使用，不利于大規(guī)模推廣。